◆PLMapping测量

◆多种激光器可逈�/p>

◆Mapping扫描速度：优�?0�?科�/p>

◆空间分辨率�?0um（物镜）�?0um（透镜（�/p>

◆光谱分辨率�?.1nm@1200g/mm

◆Mapping结果�?D方式显示

�?*8吋的样品测量

◆晶片精确定佌�/p>

◆样品真空吸陃�/p>

◆可做低温测野�/p>

◆膜厚测野�/p>

测试原理９�/p>

PL是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷、�/p>

操作简便、全电脑控制

PMEye-3000系列PL Mapping测量�?/strong>，是一款适合于半导体晶片和LED外延片科研、生产和质量控制环节的仪器；采用整机设计，用户只需要根据需要放置合适的检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现、�/p>

全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，防止对样品的损伤；可对常规尺寸的晶圆样品进行精确定位，提高测量重复性、�/p>

系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测、�/p>

荧光测量

一般的PL测量仪只是测量荧光的波长和强度。PMEye-3000系列增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对荧光测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差，也使测量结果有可比性、�/p>

Mapping功能

PMEye-3000系列配置200X200mm的X-Y电控位移台，**可测�?英寸的晶圆样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域及空间分辨率，扫描速度优于每秒20个点，空间分辨率可达10um（物镜）�?0um（透镜）。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度、�/p>

激光器

PMEye-3000系列有多种高稳定性的激光器可选，系统*多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个激光器。用户可以根据测量对象来配置不同的激光器，使PL检测更加灵活、�/p>

PMEye-3000系列可内置的激光器波长有：266nm�?05nm�?42nm�?32nm�?85nm等，外置激光器波长有：325nm�?32.8nm等、�/p>

功能强大的软仵�/p>

我们具有多年的测量仪器操作软件的开发经验，熟悉用户的操作习惯，这使我们开发的这套PMEye-3000系列操作软件功能强大且操作简便、�/p>

PMEye-3000系列操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量及显示，mapping结果�?D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理、�/p>

低温样品室附仵�/p>

该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测、�/p>

有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷、�/p>

如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎含盖整个可见光范围，且强度�?*峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直�?10K时，我们可以发现�?50nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到*低温25K时，基本上就只有一个荧光峰、�/p>

GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev，换算成波长�?65nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜�?5K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长�?57.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射、�/p>

性能及功胼�/p>

扫描模式	单波长mapping
摄谱模式	峰值波长mapping；给定波长范围的积分
光源	405nm激光（标配（�/p> 150W溴钨灯（可选，用于膜厚测量（�/td>
光源调制	斩波�?/td>
光谱�?/td>	三光栅DSP扫描光谱�?/td>
光谱仪焦跜�/td>	500mm（标配）
波长准确�?/td>	��0.2nm�?200g/mm�?00nm（�/p> ��0.6nm�?00g/mm�?00nm（�/p> ��0.8nm�?00g/mm�?250nm（�/td>
探测�?/td>	Si探测器，波长范围�?00�?100nm （标配）
数据采集设备	带前置放大器的数字采集器DCS300PA 锁相放大器SR830
二维位移平台	行程200*200mm，重复定位精�?3��m
样品�?/td>	具有真空吸附功能，对主流�?’’，4’’，5’’，6’’，8’’的晶片可进行精确定佌�/td>
Mapping扫描速度	优于20�?科�/td>
Mapping位移步长	*小可�?um
空间分辨玆�/td>	10um（物镜方式）�?0um（透镜方式（�/td>
重复定位精度	<3��m

探测器选择

探测器类垊�/td>	光谱响应范围
R1527光电倍增箠�/td>	200�?80nm
CR131光电倍增箠�/td>	200�?00nm
DSi300硅光电探测器	200�?100nm
DInGaAs1700常温型铟镓砷探测�?/td>	800�?700nm
DInGaAs1900制冷型铟镓砷探测�?/td>	800�?900nm
DinGaAs2200制冷型铟镓砷探测�?/td>	800�?200nm
DinGaAs2600制冷型铟镓砷探测�?/td>	800�?600nm