| 专利申请号 | 专利名称 | 公告日 | 申请人 |
| CN202211206855.0 | 硅碳复合材料及其制备方法、负极片和锂二次电池 | 2022-12-23 | 北京卫蓝新能源科技有限公司 |
| CN202211250597.6 | 一种锂电池负极及其制备方法 | 2022-12-23 | 重庆石墨烯研究院有限公司 |
| CN202211191699.5 | 太阳电池隧穿氧化层的制备方法和太阳电池隧穿氧化层 | 2022-12-23 | 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 |
| CN202211435762.5 | 一种硅@碳-石墨复合负极材料、复合层负极片及其二次电池 | 2022-12-23 | 江苏正力新能电池技术有限公司 |
| CN202211310187.6 | 一种石墨烯-铜复合柔性电极制备工艺及装置 | 2022-12-23 | 镇江市江苏大学工程技术研究院 |
| CN202211331091.8 | 高压实钠离子电池负极材料及负极片和钠离子电池 | 2022-12-23 | 深圳珈钠能源科技有限公司 |
| CN202211215818.6 | 一种磷铁共掺杂硬碳复合材料,及其制备方法和应用 | 2022-12-23 | 深圳市金牌新能源科技有限责任公司 |
| CN202211064479.6 | 一种酯型光敏聚酰亚胺复合材料、制备方法及半导体装置 | 2022-12-23 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 |
| CN202210791866.3 | 一种混合波导集成石墨烯中红外全光调制器 | 2022-12-23 | 浙江大学 |
| CN202210812160.0 | 一种高功耗散热器散热的内嵌石墨烯散热塔及制作方法 | 2022-12-23 | 安徽汉烯科技有限公司 |
| CN202211329884.6 | 一种电镀Ni-GO-Ce复合镀层及制备方法 | 2022-12-23 | 大连大学 |
| CN202211045915.5 | 一种SiC晶片的外延生产工艺 | 2022-12-23 | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司 |
