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专利申请号 专利名称 公告日 申请人
CN202210305464.8 使用低射频等离子体过程形成氮化硅层的方法和系统 2022-10-04 ASM IP私人控股有限公司
CN202210305516.1 用中间处理过程沉积氮化硅的方法和系统 2022-10-04 ASM IP私人控股有限公司
CN202210956810.9 半导体晶圆的应力平衡方法及其应用 2022-10-11 拓荆科技股份有限公司
CN202210910207.7 一种晶圆的空腔结构、构建方法及晶圆 2022-10-11 晨宸辰科技有限公司
CN202210782596.X 一种氮化镓功率器件及其制备方法 2022-10-11 天狼芯半导体(成都)有限公司
CN202210804635.1 一种太阳电池及其制备方法 2022-10-11 通威太阳能(眉山)有限公司
CN202210821047.9 一种氮化硅上的衬底结构及其制备方法 2022-10-11 广州诺尔光电科技有限公司
CN202210746013.8 一种高耐磨氮化硅陶瓷材料制备设备 2022-10-11 衡阳凯新特种材料科技有限公司
CN202210349584.8 一种氮化物陶瓷基片的动态烧结方法 2022-10-14 中材高新氮化物陶瓷有限公司
CN202210984560.X 一种耐磨PC树脂材料及其制备方法 2022-10-14 浙江普山新材料科技有限公司
CN202210941639.4 一种氮化硅陶瓷烧结体及其制备方法 2022-10-14 中国科学院兰州化学物理研究所;烟台中科先进材料与绿色化工产业技术研究院;烟台先进
CN202210851536.9 一种环保水基凝胶体系氮化硅陶瓷基板的成型方法 2022-10-14 郑州大学;河南北星精工技术有限公司
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