编号：FTJS106991
篇名：氧化镓粉体的电解法合成及性能研究
作者：廖文琦 徐华蕊 陈彩明 赵昀云 龙神峰 韦婷婷 朱归胜
关键词：电流密度 GaOOH纳米颗粒 β-Ga2O3 冷烧结工艺 β-Ga2O3靶材
机构：桂林电子科技大学材料科学与工程学院
摘要：随着显示器件对导电薄膜的要求越来越高,高致密度、高电导率的IGZO靶材得以迅速发展。本文采用一种合Ga2O3的新方法电解法,以纯Ga金属片为阳极,以石墨棒为阴极,以NH4Cl水溶液为电解液,成功合成了平均粒径约为580nm的片层茧状GaOOH纳米颗粒。该纳米颗粒分别在500和800℃下煅烧3h,获得α-Ga2O3和β-Ga2O3纳米粉体,并以该β-Ga2O3粉体为原料采用冷烧结工艺同高温烧结相结合制备β-Ga2O3靶材,并对β-Ga2O3靶材的烧结性能和微观结构进行了研究。结果表明,电流密度对GaOOH纳米颗粒的形貌和粒径具有显著影响,当电流密度为1A/cm2时获得的GaOOH片层茧状纳米颗粒,其颗粒尺寸小且尺寸均匀。经冷烧结工艺-高温烧结获得更高密度的β-Ga2O3靶材,其相对密度达到98.91%,为后续制备高致密度、高电导率的IGZO靶材提供了参考。
