编号：FTJS03225
篇名：Gd_2O_3掺杂ZrO_2固体电解质材料的局域结构分析
作者：谢笑虎； 孙加林； 宋文； 林婷；
关键词：分子动力学模拟； 局域结构； 固体电解质； 配位数； 稳定机理；
机构：北京科技大学无机非金属材料系； 西安建筑科技大学华清学院；
摘要：采用分子动力学模拟和X射线衍射研究了Gd2O3掺杂ZrO2固体电解质材料的结构,计算并分析了Gd2O3掺杂量对体系局域结构和配位数的影响。结果表明:当Gd2O3掺杂量超过8%(摩尔分数,下同)时,在1 000℃ZrO2的立方结构能够稳定。利用离子对的径向分布函数在原子层面上分析了Gd2O3对氧化锆立方萤石结构的稳定机理。此外,配位数计算结果表明:在体系中氧空位优先分布在Zr4+的最近邻位置,随体系中空位数量的增加,Zr4+的配位数呈下降趋势,而Gd3+的配位数则在Gd2O3掺杂量为10%时取得最大值。
