编号:FTJS03161
篇名:化学炉燃烧合成Al_4SiC_4粉体的绝热燃烧温度计算与实验研究
作者:李学超; 宋月鹏; 李江涛; 陈义祥; LEE Chong Soo; KIM Hyoung Seop;
关键词:铝碳化硅粉体; 绝热燃烧温度; 化学炉; 燃烧合成;
机构:山东农业大学机械与电子工程学院; Department of Materials Science and Engineering,Pohang University of Science and Te
摘要:根据热力学基本原理,采用计算机数值计算,对化学炉燃烧合成的铝碳化硅(Al4SiC4)粉体的绝热燃烧温度进行数值计算。结果表明:常温下Al–Si–C体系的绝热燃烧温度仅为1 300 K;只有当预热温度在930 K以上时,才可以实现自蔓延燃烧。Al–Si–C体系的燃烧合成将分步进行,首先生成中间产物Al4C3和SiC,而后由其形成最终产物Al4SiC4。通过体系中添加过量石墨,利用Ti–Si体系化学炉,燃烧合成出粒度均匀且纯度较高的Al4SiC4粉体,根据实验检测并结合绝热燃烧温度计算结果,分析了石墨过量对产物Al4SiC4粉体纯度的影响。