编号：FTJS03140
篇名：基于氧化工艺的二氧化硅层厚度的研究
作者：刘欢； 王健； 李金凤；
关键词：氧化； 二氧化硅； 厚度控制；
机构：沈阳化工大学；
摘要：氧化工艺是集成电路工艺流程中一项重要工艺。本文对热氧化生成的二氧化硅层厚度进行了理论计算和实际测定,并列出了6个样品的干氧和湿氧时间、理论计算值、实际测值及产生的误差值,实验结果表明利用本文中的工艺参数能达到较好的工艺效果。
