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Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质

编号:NMJS02739

篇名:Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质

作者:李园利; 谢瑞士; 余萍;

关键词:CdS; 掺杂; 半导体纳米晶; 水相合成技术; 光学性质;

机构:四川大学材料科学与工程学院;

摘要:利用水相合成技术,以巯基乙酸(MAA)为稳定剂,合成了Co:CdS半导体纳米晶。XRD结果表明,得到的掺杂纳米晶为闪锌矿结构,平均粒径约为3.9 nm;FT-IR结果表明,MAA成功包覆在Co:CdS纳米晶的表面;UV-vis吸收谱表明,Co离子成功掺入CdS晶格中;PL结果表明,掺杂离子浓度过大会导致CdS发光淬灭;并讨论了相关机理。

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