编号：NMJS02636
篇名：铟掺杂ZnGa_2O_4纳米线中的结构缺陷分析(英文)
作者：张伟光； 荣宪伟；
关键词：纳米结构； 半导体； 缺陷；
机构：哈尔滨师范大学物理与电子工程学院黑龙江省低维体系与介观物理重点实验室；
摘要：用热蒸发的方法合成了铟掺杂的ZnGa2O4纳米线。利用透射电镜和X射线能谱对样品的结构和成分进行了研究。在"之"字形和竹节形两种形貌的纳米线中分别发现了孪晶和面位错两种缺陷。"之"字形生长的纳米折线是孪晶,沿<11-1>方向生长,孪晶角为140°。竹节形的纳米线沿<011->方向生长,竹节处存在两种面位错,面位错与生长方向分别成54°和90°角。缺陷的存在对纳米线的性质将产生重要影响。
