编号：NMJS02401
篇名：沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响
作者：富笑男； 程莉娜； 罗艳伟； 刘琨； 王信春；
关键词：硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)； I-V曲线； Au/Si-NPA； 整流特性；
机构：河南工业大学理学院； 河南大学特种功能材料教育部重点实验室；
摘要：采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列(Au/Si-NPA),不同Au/Si-NPA所用沉积时间不同。通过测试分析所制Au/Si-NPA的I-V特性曲线,研究了沉积时间对Au/Si-NPA电学特性的影响。结果表明:在沉积时间小于30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而减小;而当沉积时间超过30 min时,Au/Si-NPA的正向电流随沉积时间的延长而增大。这种电学特性变化主要是由Au/Si-NPA的表面形貌及成分出现变化引起的。
