编号：FTJS02363
篇名：W18O49亚微米棒阵列的制备及其生长机理
作者：刘新利； 张泉； 王世良； 王超； 贺跃辉；
关键词：氧化钨； 亚微米棒； 单晶； 气相沉积；
机构：中南大学粉末冶金国家重点实验室； 中南大学物理科学与技术学院；
摘要：以WO3粉末为原料,通过气相沉积法在钨片基底上制备出W18O49亚微米棒阵列。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射分析(XRD)等对制备出的氧化钨亚微米棒阵列进行物相及形貌分析和表征。同时,提出了W18O49亚微米棒的生长机理,并讨论了生长温度对亚微米棒阵列密度和直径的影响。结果表明:制备出的W18O49氧化钨亚微米棒具有单晶单斜结构,长度为5~15μm,直径为200~800 nm,沿[010]方向生长。
