编号：FTJS02303
篇名：MoSi_2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响
作者：高朋召； 汪文祥； 公伟伟； 肖汉宁；
关键词：碳化硅； MoSi2； 力学性能； 体积电阻率；
机构：湖南大学材料科学与工程学院；
摘要：在一定粗细颗粒配比的SiC粉体中添加不同量的MoSi2,进而在2 300℃烧结得到MoSi2/R-SiC复合材料.采用SEM,XRD,力学性能测试、阻抗分析仪等方法研究了MoSi2添加量对复合材料微观结构、组成、力学和电学性能的影响.结果表明:在2 300℃所得的复合材料中,SiC为6H型,MoSi2转化为六方晶型的Mo4.8Si3C0.6,其主要原因是高温下液相MoSi2逐渐失去Si,同时与SiC发生反应转变为低硅含量的硅钼炭化合物所致.硅钼炭化合物主要以涂层的形式包覆在SiC颗粒的表面,随添加量的增加,涂层逐渐增厚,当添加量超过10%,部分Mo4.8Si3C0.6填充在SiC空隙中;复合材料的密度和表观气孔率随Mo-Si2添加量的增加逐渐增加,力学性能变化不大,但体积电阻率显著降低.同时对所得材料的导电机理进行了初步的探讨.
