编号：NMJS01617
篇名：纳米Ge-SiO2薄膜对1342nm激光的被动调Q
作者：王燕飞； 王加贤； 张培； 杨先才；
关键词：激光技术； Nd∶YVO4激光器； 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜； 被动调Q； 可饱和吸收体；
机构：华侨大学信息科学与工程学院；
摘要：采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约为40 ns,重复频率为33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.根据实验现象并结合薄膜结构,认为纳米Ge-SiO2薄膜的界面态和缺陷态是产生调Q的主要原因. 更多还原
