编号：FTJS01640
篇名：阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率
作者：潘岭峰; 李琪; 刘志强; 王晓峰; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜;
关键词：发光二极管; 氮化镓; 阳极氧化铝; 外量子效率; 纳米图形化表面;
机构：中国科学院半导体研究所;
摘要：使用纳米尺度的多孔阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)作为刻蚀掩膜,刻蚀氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO),形成纳米图形化表面,对于发光二极管的出光效率有明显的提升作用。AAO纳米掩膜的制备已广为报道,是纳电子学研究中常用的模板之一,工艺简单易行、可控性好。使用电感耦合反应离子刻蚀方法成功将纳米多孔结构转移到ITO上,形成ITO纳米结构。纳米图形化结构的引入使得器件有效减小了内部的全反射,在电压没有大幅提高,注入电流350 mA时,光学输出提高了7%。纳米尺度粗化结构LED与传统结构LED对比,提升了器件的外量子效率。
