编号：CYYJ043456
篇名：氧化锆掺杂对无铟氧化物靶材电阻率和密度的影响
作者：曾墩风 张兵 王志强 余庆萍
关键词：氧化物靶材 氧化锆 电阻率 密度
机构：芜湖映日科技股份有限公司
摘要：氧化物靶材作为显示面板中透明电极、半导体层与绝缘层的关键基础材料备受瞩目,已然成为研究的热点所在。在本文里,借助砂磨、造粒、模压成型、高温烧结等一连串精心设计的制备方法,成功制造出了无铟氧化物靶材。并且,将重点聚焦于ZrO2掺杂所带来的影响,展开了深入系统的研究。研究结果表明,在无铟氧化物的制备流程中,当把最高烧结温度设为1500℃,同时将烧结时间保持15h,ZrO2掺杂量精准控制为1.5 wt.%的时,效果很好。在这种条件下,电阻率成功达到最小值,仅为2.0×10-3Ω·cm,而密度达到6.945 g/cm3。无论是电阻率还是密度,这两个关键的性能指标均处于最佳状态。
