编号：FTJS106902
篇名：异面结构雪崩GaAs光导开关的制备及特性测试
作者：杨迎香 杨向红 朱章杰 黄嘉 李昕 胡龙
关键词：砷化镓 光导开关 暗态泄漏电流 输出特性 寿命
机构：西安交通大学微电子学院 西安交通大学电子信息工程学院
摘要：雪崩砷化镓光导开关(PCSS)因其超快开关速度、低触发抖动、光电隔离、高功率容量、高重复频率以及器件结构灵活的特点,得到广泛应用。制备封装了电极间隙为5 mm的异面结构GaAs光导开关,对不同偏置电场下(36~76 kV/cm)开关的暗态和开态的电学特性进行了测试分析,结果表明其具有百皮秒~纳秒量级的上升沿、低暗态泄漏电流(0.15~6.61μA)、高耐压(18~38 kV)的特点。实验探究了开关工作次数与输出电压峰值的关系,结果表明随着工作次数的增大,输出电压幅值呈台阶型降低趋势,在20 kV、2 Hz条件下,开关寿命达4.0×104次。
