编号：FTJS10298
篇名：高质量二维WTe2薄膜的可控制备及电输运性能研究
作者：赵新 卢志红 张振华 肖杨 冯金地 甘凌霄
关键词：二维材料 WTe2薄膜 WCl6 前驱体 磁电阻率 平面霍尔电阻 电输运性能
机构：武汉科技大学材料学部
摘要：以WCl6为前驱体,采用化学气相沉积法制备二维WTe2薄膜材料。借助X射线衍射仪、拉曼光谱、原子力显微镜、综合物性测量系统等探究了前驱体用量对二维WTe2薄膜质量的影响并对薄膜的电输运性能进行表征。结果表明,在500℃下,仅需10 min的生长时间就可以获得大面积的WTe2薄膜,且薄膜厚度随前驱体用量的减少而减薄。WCl6前驱体为0.6 g时所制多层二维WTe2薄膜在温度为10 K、磁场强度为50000 Oe下的磁电阻率为1.54%,该磁电阻率仍未达到饱和。样品平面霍尔电阻随电场和磁场夹角变化而周期性变化,表明所制WTe2薄膜具有和块体WTe2相似的电输运特性。
