编号：FTJS10225
篇名：气压一步烧结和两步烧结对氮化硅陶瓷结构和性能的影响
作者：杨州 李洪滔 张春艳 田中青 曹亮亮 黄福祥 孟范成
关键词：氮化硅 气压 两步烧结 力学性能 微观形貌
机构：重庆理工大学材料科学与工程学院 星鑫宇航新材料科技（上海）有限公司
摘要：以Yb2O3和Al2O3为烧结助剂,研究气压一步烧结和两步烧结工艺对Si3N4陶瓷结构件微观形貌、力学性能的影响。结果表明:一步烧结长时间保温可以减少样品内部孔隙,但是会导致β-Si3N4晶粒异常长大,恶化部分力学性能。采用两步烧结制备的Si3N4陶瓷相对密度达98.25%,内外结构均一,没有晶粒异常长大现象;其维氏硬度(HV)为1478、室温抗弯强度为832 MPa、高温(900℃)抗弯强度为646 MPa、断裂韧性为7.3 MPa·m1/2,具有优良的综合力学性能。两步烧结是一种有效制备高致密、良好综合力学性能Si3N4陶瓷结构件的方法。
