SiC单晶生长热场模拟及结构分析

编号：FTJS10204

篇名：SiC单晶生长热场模拟及结构分析

作者：李嘉炜 沈晓宇 王黎夫 叶国伟

关键词：SIC 物理气相传输法 半导体 热场模拟 缺陷

机构：浙江东尼电子股份有限公司

摘要：基于有限元法数值模拟,对SiC籽晶生长面上的径向温度梯度和沿石墨坩埚中心轴的轴向温度梯度进行模拟计算,使用感应加热物理气相传输法制备了6 英寸的大尺寸SiC单晶,对晶体样品进行了物相、应力和缺陷的表征与研究。研究结果表明:减薄坩埚壁厚和优化生长结构后的热场对改善晶体热应力、降低晶体内部缺陷有明显效果。因此,大尺寸、高质量碳化硅单晶体材料的生长已经成为半导体行业发展的研究热点。