编号：FTJS09781
篇名：利用干燥空气改善熔融KOH对单晶碳化硅的腐蚀
作者：孙帅 宋华平 杨军伟 王文军 屈红霞 简基康
关键词：碳化硅 腐蚀 位错 缺陷表征 鼓泡器 腐蚀速率
机构：广东工业大学物理与光电工程学院 松山湖材料实验室 中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心
摘要：本文提出了一种改进的氢氧化钾(KOH)腐蚀方法,该方法利用鼓泡器将干燥空气直接通入熔融KOH中,以达到快速排出熔融KOH中水分和增强溶解氧的目的。本研究通过提升部分潮解的KOH对低掺杂n型外延片的腐蚀效果和纯KOH对高掺杂n型衬底的腐蚀效果,验证了该方法的有效性。实验结果表明:在腐蚀前的恒温时间段内,向腐蚀剂通入干燥空气,可加快腐蚀剂中水分的蒸发速度,减轻水分对腐蚀反应的抑制作用,使得部分潮解的KOH用于腐蚀外延片的效果优于未潮解的新鲜KOH;在腐蚀时向腐蚀剂通入干燥空气,可增加腐蚀剂中的溶解氧,促进腐蚀时发生的氧化还原反应,使得KOH腐蚀SiC衬底的效果近似于用KOH+Na2O2共熔体腐蚀得到的效果。本研究有效改良了传统KOH腐蚀方法,对于稳定KOH腐蚀条件,提高SiC位错腐蚀效果具有很好的实际应用价值。
