编号：NMJS08532
篇名：In2S3/g-C3N4光催化复合材料的制备与研究
作者：赵子龙 贺世洁 董国峰 谈志鹏 马元良
关键词：g-C3N4纳米片 In2S3/g-C3N4复合材料 水热法 热缩聚合法 降解效率
机构：青海民族大学物理与电子信息工程学院
摘要：为解决早期合成出来的g-C3N4材料光生电子空穴对复合速率高、比表面积小和禁带宽度高等问题,该文采用热缩聚合法和取氧刻蚀法制备g-C3N4纳米片,以g-C3N4纳米片作为基底,通过水热法制备不同含量In2S3/g-C3N4复合材料。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见漫反射(UV-vis)等进行形貌、组成以及光催化性能表征。并将罗丹明B作为目标污染物研究g-C3N4及不同含量In2S3/g-C3N4复合材料的降解性能。试验结果表明,纯g-C3N4纳米片对罗丹明B的降解性能明显低于具有5%~7%含量的In2S3/g-C3N4复合材料。最终通过反复试验的得出,7%In2S3/g-C3N4复合材料的光降解性能最佳,其催化活性也有一定提高。
