编号：CYYJ03034
篇名：超薄氧化硅与氮化钛复合层对光生电子导出的作用
作者：兰自轩 王艺琳 赵磊 马忠权
关键词：太阳能电池 钝化层 复合速率 异质结 空穴阻挡 超薄氧化硅/氮化钛
机构：上海大学物理系上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室
摘要：采用湿法化学氧化和直流磁控溅射制备了超薄氧化硅(a-SiO)和高电子浓度的氮化钛(TiN)复合薄膜,研究其对半导体-准绝缘体-半导体(SQIS)光伏器件中晶硅表面的钝化作用。实验结果表明:相对于铝背场电极,该光伏器件的光电转换效率相对提高了20.72%。结合少子寿命测量和AFORS-HET模拟软件分析,揭示了开路电压增加的原因。aSiO/TiN与n-Si有2.28 eV的价带偏移,可以减缓空穴在背部界面的复合,使复合速率降为原先的1/10,从而有效增加开路电压,达到提高异质结器件光电转换效率的目的,为SQIS光伏器件提供了一种工艺简单、制备成本低的背部钝化接触复合材料。
