编号：CYYJ02867
篇名：氮化镓基共振隧穿二极管中极化效应的研究
作者：容涛涛
关键词：氮化镓 共振隧穿二极管 峰值电压
机构：宝鸡文理学院物理与光电技术学院
摘要：目的 理论分析极化效应对用于太赫兹波段的氮化镓(GaN)基共振隧穿二极管(RTD)器件特性的影响。方法 通过半导体工艺以及器件模拟工具对GaN基RTD器件进行建模,在此模型的基础上对器件展开详尽的理论分析,从微观机理上揭示极化效应对器件输出特性的影响。结果 提取的存在极化效应的RTD器件的输出特性曲线显示出明显的非反对称性。结论 极化效应是影响器件输出特性的关键因素之一,因此器件性能的提升必须以弱化极化效应为目标。
