编号：NMJS08214
篇名：铝掺杂石英粉对多晶硅晶体生长的影响
作者：权祥 徐云慧 焦富强 邓敏 朱常任
关键词：高效多晶硅 形核物 位错
机构：常州大学 徐州工业职业技术学院材料工程学院 沛县拓源光伏发电有限公司
摘要：多晶硅定向凝固铸锭技术生产的硅片是太阳能电池企业主要的原料之一,在多晶硅生长过程中,坩埚底部由于通过气冷降温,所以多晶硅从底部开始结晶。最靠近坩埚底部位置的多晶硅初期形核的质量将决定整个多晶硅晶体的质量。目前很多科研院所和多晶硅片生产企业将多晶硅形核作为研究的重点。从多晶硅形核物质的种类不同可以将形核物质分为以下几种类别:Si、SiO2、Si3N4等,其中SiO2形核由于热膨胀系数与硅相近,而且在诱导多晶硅形核过程中不易熔化,目前是大多数科研院所的研究重点。在SiO2形核物中加入微量的Al粉,将SiO2形核物用喷涂的方式沉积在铸锭坩埚底部,通过传统的铸锭工艺进行多晶硅晶体生长。实验数据表明,SiO2形核物质中添加0.05%的Al粉,初期TC1生长温度设置为1520℃时,可以获得低位错密度的多晶硅晶体。制备成的太阳能电池的效率19%比传统未添加Al粉的SiO2形核物所生产的太阳能电池片高0.3%。
