编号：NMJS07972
篇名：晶体硅太阳能电池连续流等离子体强化表面掺杂技术的研究
作者：赵俊霞
关键词：晶体硅电池 等离子体 表面掺杂
机构：三江学院
摘要：针对业界常用的热扩散工艺产生"死层"的现象,提出连续流等离子体强化表面掺杂技术,根据新技术制备的晶体硅太阳能电池片没有富硼层(Boron rich layer)而且Si-SiO2界面具有良好的原子平整度、无晶格缺陷,具有高效、可控、稳定的电池性能(平均转化效率达22%,最高转化效率达23%)。
