自蔓延高温合成制备单相氮化硅镁粉体

编号：FTJS00699

篇名：自蔓延高温合成制备单相氮化硅镁粉体

作者：杨建辉; 陈义祥; 刘光华; 李江涛;

关键词：自蔓延高温合成; 氮化硅镁; 稀释剂;

机构：中国科学院理化技术研究所; 中国科学院研究生院;

摘要：通过自蔓延高温合成技术制备了以MgSiN2为主相的粉体,然后利用酸洗工艺除去杂质得到单相MgSiN2粉体。研究了原料配比、稀释剂MgSiN2的添加量和N2压力对燃烧合成产物相组成的影响,并探讨了酸洗条件对洗除MgO杂质的影响。研究结果表明,以化学计量比配制的原料,难以通过自蔓延高温合成法直接合成单相的MgSiN2粉体;在原料中使Mg粉过量,并对自蔓延高温合成产物进行酸洗处理,是制备单相MgSiN2粉体的一种简单、实用的有效方法。