编号：FTJS05538
篇名：稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究
作者：张忠政； 张春红； 闫万珺； 周士芸； 郭本华；
关键词：CrSi2； 第一性原理； 掺杂； 电子结构； 光学性质；
机构：安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心；
摘要：基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在费米面附近,La原子的5d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由Si的3p层和Cr的3d层电子的分波态密度决定;La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.
