编号：CPJS03070
篇名：三元稀土硅化物Gd_2PdSi_3单晶生长(英文)
作者：徐义库； Wolfgang L·SER； 郭亚杰； 赵新宝； 刘林；
关键词：Gd2PdSi3； 悬浮区熔； 单晶生长； 稀土化合物； 沉淀；
机构：长安大学材料科学与工程学院； 德国莱布尼兹固态及材料科学研究所固态材料研究所； 西北工业大学凝固技术国家重点实验室；
摘要：采用光悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度制备Gd2PdSi3单晶。该化合物表现为同成分熔融,其熔点在1700°C左右。与Gd2PdSi3化学计量成分相比,制备的晶体中Pd含量略低,导致了熔区内Pd的富集以及实验过程中熔区温度的降低。采用标准成分给料棒制备的单晶内含有少量定向的GdSi沉淀,可以通过退火热处理减少其含量但并不能完全消除。采用给料棒成分微调的方法制备出不含GdSi沉淀的高质量Gd2PdSi3单晶。
