编号：FTJS04383
篇名：二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究
作者：张昭； 杨兵； 陆敏； 田亮； 杨霏
关键词：二氧化硅； 干法刻蚀； 刻蚀倾角
机构：国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所； 北方工业大学
摘要：采用反应离子体刻蚀机结合CHF3+SF6+O2混合气体[1,2]刻蚀二氧化硅的工艺研究,并且采用正交试验方法[3]调整刻蚀参数,得出影响刻蚀倾角的主要因素是CHF3和SF6。适当增加CHF3流量有助于形成陡直的刻蚀倾角;适当增加SF6流量并减小CHF3流量有助于形成平缓的刻蚀倾角。通过对实验参数进行整体优化处理,最终实现了垂直、平缓的刻蚀倾角。为采用二氧化硅作为刻蚀掩膜以及终端结构提供了帮助。
