编号：NMJS04869
篇名：纳米GaN的制备及其表征
作者：何海成； 卢艳红； 王洪绪； 华继昌； 嵇天浩
关键词：GaN； 纳米结构； 高温溶剂法
机构：廊坊师范学院化学与材料科学学院； 康龙化成(北京)新药技术有限公司； 中国石油勘探开发研究院廊坊分院； 北京工商大学化学与环境工程学院
摘要：以三苯基氧膦为溶剂、GaCl3为原料、六甲基二硅胺烷为氮源,采用高温溶剂法合成了GaN纳米材料。用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对产物进行了表征,结果表明得到了纳米结构的GaN粉末。
