编号：CPJS01937
篇名：H_2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响
作者：乔泳彭； 蒋百灵； 鲁媛媛； 牛毅； 张岩；
关键词：直流磁控溅射； H2流量； a-Si∶H薄膜； 光学性能；
机构：西安理工大学材料科学与工程学院； 西安黄河光伏科技股份有限公司；
摘要：采用直流磁控溅射法在不同H2流量的条件下制备了a-Si∶H薄膜,研究了H2流量对薄膜微观结构以及光学性能的影响。结果表明:随H2流量的增加,a-Si∶H薄膜的沉积速率有所下降,但其原子排列的有序度上升,并出现了细小的纳米晶粒,使得薄膜的无序结构得到了一定改善。同时,薄膜的光学性能也表现出明显变化,其中透过率持续上升,而光学带隙则呈现出先增大后减小的趋势。最终得到制备a-Si∶H薄膜的最优H2流量为15 sccm。
