编号：FTJS03758
篇名：不同碳源对Al_2O_3-Si-C材料基质中原位合成SiC晶体形貌的影响
作者：梁峰； 李楠； 刘百宽； 贺中央；
关键词：Al2O3-Si-C； 超细鳞片石墨； 纳米炭黑； 碳纳米管； SiC晶须；
机构：武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地； 濮阳濮耐高温材料(集团)股份有限公司；
摘要：为了研究微米或纳米结构的碳材料对Al2O3-Si-C材料基质中生成SiC晶体结构和形貌的影响,采用板状刚玉细粉和单质Si粉为原料,分别以碳纳米管、纳米炭黑和超细鳞片石墨为碳源,制备了添加三种不同碳源的Al2O3-Si-C基质试样,在埋炭气氛下于1 000、1 200和1 400℃分别保温3 h热处理,用XRD分析处理后试样的相组成,通过FESEM观察试样基质中的SiC晶体形貌。结果表明:1)较高的热处理温度可以促进SiC的反应生成,SiC的生成量随热处理温度的升高而增加。2)不同碳源在试样中原位形成SiC的形貌和反应机制各不相同:碳纳米管通过模板反应被逐渐转化为SiC晶须;Si与纳米炭黑之间快速反应形核,成核后的SiC晶体向各个方向均匀生长并形成SiC颗粒;超细石墨片晶从边缘向内部逐渐反应生成SiC晶须。
