直接沉淀法制备纳米CuO及室温脱除H2S性能的研究

编号：NMJS03636

篇名：直接沉淀法制备纳米CuO及室温脱除H2S性能的研究

作者：李　芬1； 张彦平2； 王　悦1； 王艳红1； 杨胜宇1； 雷　涛1

关键词：直接沉淀法； 纳米CuO； 室温脱硫；

机构：(1.哈尔滨理工大学 化学与环境工程学院,绿色化工技术黑龙江省高校重点实验室,黑龙江 哈尔滨150040； 2.河北工业大学 土木工程学院,天津300401)

摘要：考察了纳米氧化铜直接沉淀法制备工艺对其脱硫活性和晶粒尺寸的影响,并利用XRD和TEM对脱硫剂的结构进行了表征。结果表明,所制备的纳米CuO为单斜晶系结构。原料浓度过低、沉淀剂用量小均不利于生成小尺度的纳米CuO。但加热条件下,前驱体有分解形成氧化铜趋势,晶粒尺寸略有增大;当n(OH- )∶n(Cu2+ )=2.5∶1,原料浓度0.4mol/L,搅拌温度为25℃,300℃焙烧时获得的纳米CuO脱硫活性最好,其穿透时间可达640min,此时纳米CuO晶粒尺寸为11.8nm,颗粒的分散性较好;纳米CuO的脱硫活性受其晶粒大小的影响,但只有晶粒尺寸相差较大时,两者之间才呈现出明显的相关性。