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纳米SiC和SiC(N)粉体的微波介电特性及其与微波的作用机理

编号:FTJS00303

篇名:纳米SiC和SiC(N)粉体的微波介电特性及其与微波的作用机理

作者:赵东林 万伟等

关键词:微波 纳米SiC(N)复相粉体 纳米SiC粉体 微波介电特性 作用机理 纳米材料 复合材料

机构:西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072

摘要:研究了纳米SiC粉体和纳米SiC(N)复相粉体在8.2-12.4GHz频率范围的介电特性及其与微波的作用机理,发现纳米SiC(N)复相粉体介电常数的实部(ε′)和虚部(ε′′)在8.2-12.4GHz范围内随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε′′/ε′)较高,是较为理想的微波吸收材料。纳米SiC粉体的ε′、ε′′和tgδ明显小于纳米SiC(N)复相粉体的,对微波的吸收不理想。提出了纳米SiC(N)复相粉体对微波的吸收机理。纳米SiC(N)复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米SiC(N)复相粉体中形成大量的带电缺陷,这些带电缺陷在电磁波交变电场作用下产生极化耗散电流,强烈的极化驰豫过程导致大的介电损耗。

出处:西北工业大学学报.2002,20(2).-167-171

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