编号：FTJS03427
篇名：SiO_2在真空低价氟化法炼铝过程的分布
作者：李秋霞； 刘永成； 荆碧； 杨斌； 戴永年；
关键词：铝冶金； 真空； 歧化反应； 二氧化硅； 行为；
机构：云南师范大学化学化工学院； 昆明理工大学真空冶金国家工程实验室；
摘要：热力学研究得出:当系统残余压力为100~10 Pa时,SiO2与碳反应在1465~1353 K以上即可生成Si和CO;在1329~1225 K以上即可生成SiC和CO;SiO2和还原剂碳及氟化铝在1464~1353 K以上反应生成SiF4和CO及铝。实验考察了真空低价氟化法炼铝过程中SiO2的分布。XRD表明:SiO2在低价氟化法炼铝过程中有五种走向:(1)被还原成SiC,存在于残渣相;(2)被还原为单质硅,再与还原出的铁生成硅铁,存在于残渣相;(3)SiO2与冰晶石生成铝硅酸盐进入气相中;(4)SiO2与冰晶石生成气态SiF4,再与冰晶石分解的氟化钠形成Na2SiF6进入冷凝相;(5)形成气态低价氧化硅,再在合适温度下分解为单质硅进入冷凝相。
