编号:FTJS03414
篇名:La1/3Nd1/3Ba1/3MnO3的电阻率双峰和低温电阻率反常现象
作者:吕庆; 郑远平; 向晖; 李国庆;
关键词:二元稀土掺杂Mn氧化物; 电阻率双峰现象; 自旋冻结; 类近藤效应; 寄生铁磁性;
机构:西南大学物理科学与技术学院;
摘要:用固相反应法制备了二元稀土掺杂的La1/3Nd1/3Ba1/3MnO3多晶庞磁电阻块材.X射线衍射分析表明在1200℃烧结的样品具有立方对称的晶格结构.热磁曲线显示材料在低温处于自旋冰状态.自旋冰的熔点随着外磁场的增大而降低.在磁场达到40kOe时,自旋冻结现象消失.材料的居里温度为~250K,但室温磁化曲线中出现由微弱不均匀晶格畸变造成的寄生铁磁性行为.电阻率-温度曲线出现双峰现象.在居里温度附近出现的电阻率峰由晶体的本征特性贡献,在低于居里温度的~190K附近出现的电阻率峰由界面隧穿效应贡献.电阻率在~40K附近出现极小值.经过曲线拟合证实,其行为与近藤效应相似.研究结果较为全面地分析了单相多晶CMR材料的基本磁电相关特性.