泽攸科技ZEL304G电子束光刻机（EBL）采用场发射电子枪，配合一体化的高速图形发生系统实现对半导体晶圆的高速、高分辨光刻。该系统标配高精度激光干涉样品台，允许用户实现大行程高精度拼接和套刻需求，在新材料、前沿物理研究、半导体、微电子、光子、量子研究领域发挥重要作用、�/span>

产品特色

� 激光干涉样品台：先进的激光干涉样品台，满足大行程高精度拼接和套刻需汁�/span>

� 场发射电子枪：高分辨场发射电子枪是光刻质量的重要保证

� 图形发生器：在保证超高速扫描的同时实现超高分辨率图案绘刵�/span>

样品台指栆�/span>

� 标配：激光干涉样品台

� 样品台行程：�?05 mm

� 拼接精度：优�?0nm（平均�? 1σ（�/span>

� 套刻精度：优�?0nm（平均�? 1σ（�/span>

电子枪及成像指标

� 肖特基场发射电子枪：加速电�?0V~30kV；旁侧二次电子探测器和镜筒内电子探测�?/span>

� 图像分辨率：�? nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1 kV

� 束流密度�?gt; 7000A/cm2；电子束流≥100nA

� *小束斑尺寸：�?nm

光刻指标

� 电子束闸：上升沿<100ns

� 写视场：�?00×500 um

� *小单次曝光线宽：�?5nm（同时取决于工艺条件（�/span>

� 扫描速度：≥20MHz

图形发生器参�?/span>

� 控制核心：高性能FPGA

� 停留时间*小增量：10ns

� **扫描速度�?0MHz

� 图形文件格式：GDSII、DXF、BMP筈�/span>

� D/A分辨率：20佌�/span>

� 法拉第杯束流测量：包�?/span>

� 支持的写场大小：50um~500um

� 临近效应校正：可选项

� 束闸支持�?V TTL

� 激光干涉位移台：可选项

� 扫描方式：顺序扫描（Z型）、循环扫描（S型）、螺旋型扫描等多种矢量扫描模弎�/span>

� 曝光模式：支持场校准、场拼接，支持套刻，支持多图层自动曝先�/span>

� 外接通道支持：支持电子束扫描、工件台移动、束闸通断、二次电子检浊�/span>

选配附件

� 配套UPS不间断电溏�/span>

� 配套主动减震台，*低自然频�?Hz