金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)

产地：法国AS：�/p>

科研型MOCVD设备，也称为MOVPE，包含了**的液体直接注入工艺，同一腔室完成沉积和退火、�/p>

- 更低的设备及使用成本、更少的前驱体源使用、更小的腔体尺寸、跟高的薄膜沉积品质�?/p>

- 非常适合高校及研究所科研使用�

应用９�/strong>- 金属及合金， 氧化物， 氮化物， III-V� II-VI�?..

- 半导佒� SiO2� HfO2� Ta2O5� Cu� TiN� TaN� ...

- 氮化物及合金: GaN� AlN� GaAs� GaAsN...

- 高介电材斘� SrTiO3� BaTiO3� Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...

- 铁电材料: SBT� SBTN� PLZT� PZT，�?/p>

- 超导材料: YBCO� Bi-2223� Bi-2212� Tl-1223� �?/p>

- 压电材料: (Pb� Sr)(Zr，Ti)O3� 改性钛酸铅...

- 金属: Pt� Cu�?..

- 巨磁阻材�?..

- 热涂层， 阻挡层， 机械涂层� 光学材料...

- 其他�?/p>

仪器参数９�/strong>1/ 1~8英寸MOCVD系统：�/p>

2/ 专为满足科研单位需求而设计；

3/ MC050 MOCVD系统可在不同基底上，以MOCVD方式，在固体、液体有机金属基源上沉积氧化物、氮化物、金属、III-V � II-VI膜层：�/p>

4/ MC050 MOCVD配有前驱体直接处理单元，可在大范围内使用MO源，用于外延材料的研发和制备：�/p>

5/ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺；

性能及特点：1/ 温度范围: 室温�?200��C ：�/p>

2/ 带质量流量控制器的气体混合性能：�/p>

3/ 真空范围: ~ 10^-3Torr，可选配高真空；

4/ 选配手套箱；