?自动化工业级原子力显微镜，带来线上晶片检查和测量

Park Systems推出业内噪声*低的全自动化工业级原子力显微镛�/span>——XE-Wafer。该自动化原子力显微镜系统旨在为全天候生产线上的亚米级晶体（尺寸200 mm咋�/span>300 mm）提供线上高分辨率表面粗糙度、沟槽宽度、深度和角度测量。借助True Non-Contact?模式，即便是在结构柔软的样品，例如光刻胶沟槽表面＋�/span>XE-Wafer可以实现无损测量、�/span>

?现有问题

目前，硬盘和半导体业的工艺工程师使用成本高昂的聚焦离子束(FIB)/扫瞄式电子显微镜(SEM)获取纳米级的表面粗糙度、侧壁角度和高度。不幸的是，FIB/SEM会破坏样品，且速度慢，成本高昂、�/span>

?解决方案

NX-Wafer原子力显微镜实现全自动化的在纾�/span>200 mm & 300 mm晶体表面粗糙度、深度和角度测量，且速度快、精度高、成本低、�/span>

?益处

NX-Wafer让无损线上成像成为可能，并实现多位置的直接可重复高分辨率测量。更高的精确度和线宽粗糙度监控能力让工艺工程师得以制造性能更高的仪器，且成本显著低亍�/span>FIB/SEM、�/span>

?应用

l串扰消除实现无伪影测野�/span>

��独特的解�?/span>XY轴扫描系统提供平滑的扫描平台

��平滑的线�?/span>XY轴扫描将伪影从背景曲率中消除

��精确的特征特亮和行业**的仪表统计功胼�/span>

��**的工具匹酌�/span>

lCD(临界尺寸)测量

出众的精确且精密纳米测量在提高效率的同时，也为重复性与再现性研究带�?*的分辨率�?低的仪表西格玛值、�/span>

l精密的纳米测野�/span>

媒介和基体亚纳米粗糙度测野�/span>

凭借行�?低的噪声和创新的True Non-Contact^TM模式＋�/span>XE-Wafer�?平滑的媒介和基体样品上实�?精确的粗糙度测量、�/span>

l精确的角度测野�/span>

Z轴扫描正交性的高精度校正让角度测量时精确度小于0.1度、�/span>

l沟槽测量

独有皃�/span>True Non-Contact模式能够线上无损测量小至45 nm的腐蚀细节、�/span>

l精确的硅通孔化学机械研磨轮廓测量

借助低系统噪声和平滑轮廓扫描功能＋�/span>Park Systems实现�?***的硅通孔化学机械研磨(TSV CMP)轮廓测量、�/span>

?Park NX-Wafer特点

l全自动图形识�?/span>

借助强大的高分辨率数孖�/span>CCD镜头和图形识别软件，Park NX-Wafer让全自动图形识别和对准成为可能、�/span>

l自动测量控制

自动化软件让NX-Wafer的操作不费吹灰之力。测量程序针对悬臂调谐、扫描速率、增益和点参数进行优化，为您提供多位置分析、�/span>

l真正非接触模式和更长的探针使用寿呼�/span>

得益�?*的高强度Z轴扫描系统，XE系列原子力显微镜让真正非接触模式成为可能。真正非接触模式借助了原子间的相互吸引力，而非相互排斥力、�/span>

因此，在真正非接触模式下，探针与样品间的距离可以保持在几纳米，从而盖上原子力显微镜的图像质量，保证探针尖端的锋利度，延长使用寿命、�/span>

l解耦的柔�?/span>XY轴与Z轴扫描器

Z轴扫描器不�/span>XY轴扫描器完全解耦、�/span>XY轴扫描器在水平面移动样品，耋�/span>Z轴扫描器则在垂直方向移动探针。该设置可实现平滑的XY轴测量，让平面外移动降到*低。此外，XY轴扫描的正交性和线性也极为出色、�/span>

l行业*低的本底噪声

为了检�?小的样品特征和成�?平的表面＋�/span>Park推出行业本底噪声*低（< 0.5A）的显微镜。本底噪声是�?/span>‛�/span>零扫揎�/span>“�/span>情况下确定的。当悬臂与样品表面接触时，在如下情况下测量系统噪声：

��0 nm x 0 nm扫描范围，停在一个点

��0.5增益，接触模弎�/span>

��256 x 256像素

l选项

高通量自动匕�/span>

自动探针更换(ATX)

借助自动探针更换功能，自动测量程序能够无缝衔接。该系统会根据参考图形测量数据，自动校正悬臂的位置和优化测量设定。创新的磁性探针更换功能，成功率高辽�/span>99%，高于传统的真空技术、�/span>

设备前端模块(EFEM)实现自动晶体处理

您可以为NX-Wafer加装自动晶片装卸�?/span>(EFEM戕�/span>FOUP或其仕�/span>)。高精度无损晶片装卸机械臂能够百分百保证XE-Wafer用户享受到快速且稳定的自动化晶片测量服务、�/span>

长距离移动平台，助力化学机械研磨轮廓扫描

该平台带有专有的用户界面，可支持自动化学机械研磨轮廓扫描和分析。平面外运动(OPM)在样品为5 mm时小亍�/span>2 nm：�/span>10 mm时小亍�/span>5 nm：�/span>50 mm时小亍�/span>100 nm

离子化系绞�/span>

离子化系统可有效地消除静电电荷。由于系统随时可生产和位置正离子和负离子之间的理想平衡，便可以稳定地离子化带电物体，且不会污染周边区域。它也可以消除样品处理过程中意外生成的静电电荷、�/span>