仪器简介：

锗红外探测器，覆盖光谱范�?00nm-1800nm，不同探测面积及制冷温度可选，包括非制冷、半导体制冷及液氮制冶�/p>

技术参数：

Model Number Active Size Shunt Resist. Dark Current Max. Reverse Volt. Typical Capacitance Cutoff Freq.

(dia.) RD@ VR = 10mV ID@ Max. VR 　 NEP@ lpeak CD @ Max. VR

　 　 　 　 　 　 and 300Hz @ VR = 0V and RL = 50W

　 (KW) (?A) VR 　 　 　

　 (mm) Min. Typ. Typ. Max. (V) (pW/Hz1/2) (nF) (MHz)

LOW CAPACITANCE OPTION ("HS")

J16-18A-R250U-HS 0.25 400 600 0.1 3 10 0.15 0.02 400

J16-18A-R500U-HS 0.5 200 300 0.3 5 10 0.2 0.03 250

J16-18A-R01M-HS 1 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50

J16-5SP-R02M-HS 2 25 50 4 10 5 0.6 0.6 12

J16-5SP-R03M-HS 3 15 30 7 20 5 0.8 1 8

J16-8SP-R05M-HS 5 10 15 10 40 5 1 3 2.5

J16-P1-R10M-HS 10 1 2 100 400 2 4 12 0.6

HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC")

J16-18A-R250U-SC 0.25 1400 2400 0.03 0.05 0.25 0.1 0.14 40

J16-18A-R500U-SC 0.5 700 1200 0.05 0.1 0.25 0.1 0.5 10

J16-18A-R01M-SC 1 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2

J16-5SP-R02M-SC 2 80 120 0.2 1 0.25 0.4 8 0.5

J16-5SP-R03M-SC 3 35 60 0.5 5 0.25 0.6 14 0.2

J16-8SP-R05M-SC 5 14 20 1.5 10 0.25 1 36 0.1

J16-P1-R10M-SC 10 3 5 25 50 0.25 2 120 0.03

J16-P1-R13M-SC 13 1.5 2.5 50 100 0.25 3 200 0.02

STANDARD

J16-18A-R01M 1 100 200 1 5 5 0.3 1 15

J16-5SP-R02M 2 25 50 4 10 5 0.6 4 4

J16-5SP-R03M 3 15 30 7 30 5 0.8 7 2

J16-8SP-R05M 5 10 15 15 50 5 1.4 18 0.8

J16-P1-R10M 10 1 2 100 400 2 3 60 0.1

J16-P1-R13M 13 0.5 1 250 800 2 4.5 100 0.07

主要特点９�/strong>

在选择探测器时，主要考虑制冷温度以及探测面积两个主要因素�

1.制冷功能会降低暗噪声，但同时会造成阻抗的增�

2.较大探测面积会减小阻抗，但会增加暗噪�

对于低噪声要求比较苛刻的应用，可以选择小面积的探测器，同时为了增加感光的灵敏度�?*能够增加光学聚焦系统，用于光信号的收集�

除了以下常规温度皃�strong>锗红外探测器，还可以提供标准半导体TE或液氮制冷的标准产品、�/p>