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CMOS平板探测?/div>
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美国
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CMOS X射线相机由单个半导体硅片制成,可直接探测可见光或配合闪烁晶体用于探测X光和其它高能辐射。针对不同应用,可配备不同厚度Gadox或针状CsI闪烁体,是医学诊断,工业检测,科学成像的理想解决方案,标准能量测试范围为不超过220KV,根据客户要求,能量可到400KV,采用Camera Link接口,全分辨率下**可到65?科/p>

有效面积(mm) 114.9x64.6
分辨玆/span> 1536x864
像素尺寸?#956;m(/span> 74.8/149.6/299.2;依赖于不同的binning
MTF@6lp/mm 大于20%?150m HR CsI without binning(/span>
DQE ~0.7 at 0.5lp/mm (28 kV W / Al)
Binning 1 x 1 1 x 2 2 x 2 1 x 4 2 x 4 4 x 4
工作模式 提供低噪声及高动态范围两秌/span>
动态范図/span> 6400-2400;依赖于不同的工作模式及binning
帧逞/span> 32-191;依赖于不同的binning及数据接叢/span>
ADC分辨玆/span> 14佌/span>
计算机接叢/span> Camera Link或千兆以太网
外形尺寸(mm) 241 x 150 x 42
重量(kg) 1.9

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