英国AML晶圆键合朹�/strong>

AML�?Applied Microengineering Ltd")成立�?992年。公司坐落于英国牛津哈威尔科学园，主要从事原位晶圆键合设备生产，并在拥有数百亿英镑高端现代化设备的BONDCENTER的支撑下，为客户服务键合相关服务工作、�/p>

公司生产的对准键合机是目前市场上**能够实现在同一设备上完成原位对准、激发、键合的设备，是MEMS，IC，和III-V键合工艺�?*选择。在实现原位键合的同时，该设备也被用于压纹、印压、纳� 压印及其它图形转移技术。可用于科研，并具有适合批量生产的全自动设备、�/p>

AML BONDCENTER为客户提供了制作键合基底，键合器件及3D集成和芯片级封装�?*场所、�/p>

NEW ! IRIS-红外晶圆键合检浊�/strong>& Maszara键合强度设备

红外检测是一种快速、简单的无损检测方法。它可以检测键合后整片晵�/span>

圆的空洞、粘接不良或内部的颗粒、�/span>

可以对直徃�/span>200mm的晶圆做出快速检浊�/span>

?可检测的空洞*小高度是250nm

?空洞横向*小尺寷�/span>600um、�/span>

IR检测整片键合完成的晶圆

?�?/span>25mm宽的基板上进行测试。可达检浊�/span>200mm的晶圆、�/span>

?可使粘接强度的测量和分析更快速、�/span>

?IRIS键合强度测量已经得到SEMI MS5-0813‛�/span>Micro Chevron

Testing”标准的认证、�/span>

全新皃�/span>IRIS桌上型分析设夆�/span>

?IRIS可以控制产品的失效、�/span>

?插入角度–�/span>可通过设计来固定和控制、�/span>

?边缘效应-IRIS测量整片晶圆、�/span>

自动皃�/span>Maszara键合强度测试工具?消除由于操作人员的技术和方法引起测量的不确定

�?/span>—IRIS描�/span>供可重复的刀片插入、�/span>

?应力腐蚀-IRIS可以以比应力腐蚀速度更快的速度移动叵�/span>

片，从而消除了应力腐蚀造成的误差、�/span>

?兼容没有图形的晶圅�/span>–�/span>不像Chevron键合强度测试方法邢�/span>

样，需要有特定图形的晶圆、�/span>

?消除操作人员的影响，MAszara测试提供多次的重复结果、�/span>

?操作更安�?/span>-不用人工操作、�/span>

?整片晶圆的键合强度的mapping图、�/span>

?测量键合强度可达2.5Jm-2、�/span>

?键合强度测量支持多种材料的组合，例如：硅、膨匕�/span>

玺�/span>璃、蓝宝石、用户可以输入其它材料的弹性模数、�/span>

?分析软件可以连续记录晶圆的条状位置；通过自动图像刅�/span>

析，提取裂缝长度、�/span>

全自动分析测量数据，

并生成键合强度的mapping

AML键合朹�/strong>

晶圆对准键合机，广泛应用于MEMS器件，晶圆级封装技�?WLP)，先进真空封装基底，TSV 3D互联工艺等、�/p>

AML键合机具�?***的原位晶圆对准键合技术：

? 激活、对准、键合一体机

? 上下基板独立加热，适合Getter材料工艺

? 低拥有成� & 高生产能劚�/p>

? 智能作用力控刵�/span>

? 可靠的全自动对准功能，对准精度可�?微米

? **真空键合

? 可键合的芯片及晶圆尺� � 2� � 12“�/p>

? 自动程序控制功能:适用于研发或生产等应�?/p>

? 图像采集功能:用于识别背面对准标记

? 键合前晶圆原位激活、化学表面处理功胼�/span>

? AML的BONDCENTER可为客户提供强大的工艺支�?/span>

�?

(New!)基於真空的临时键合技术，

�?D IC 工艺�?*的应用，和粘附剂说再见吧�?/span>

节省工艺时间，提高生产效率，高性价�?- 无粘附剂的真空键吇�/p>

- 键合时间 <5 mins

- **工艺温度 >300^oC

- 解键合时� <10mins

- 3D-IC 工艺*理想的选择

基板温度/键合力曲线图，上下基板可在键合过程中保持不同温度

Cu-Cu键合过程中在腔室内使用蚁酸气体对键合表面氧化物进行处理，处理后界面EDX谱图

AML真空晶圆载片-**临时键合解决方案，无需使用任何粘附剁�/span>

原位等离子体激活处琅�/p>

原位对准系统

FAB12 -全自动晶圆对准键合机

晶圆尺寸: 150mm & 200mm (�?00mm)

晶圆厚度: Max. stack height 6.5mm

晶圆传输: 接触边缘 3mm 区域

基础气压: 10^-6mbar range

抽气时间: 5 min (to 10^-4mbar)

**键合劚� 25kN

卡盒数量: 2 or 3 (FOUP� SMIF or Open Cassette Load Ports)