| 1. | 讽/strong>夆/strong>名称９/strong> | 霍尔效应测试?/td> |
| 2. | 功能描述９/strong> | 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3. | 设备明细９/strong> | |
| 3-1 | 测试范围９/td> | Si SiGe SiC GaAs InGaAs InP GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3-2 | 磁场９/td> | |
| 3-2-1 | 磁场强度９/td> | 0.5T 电磁 ?.5T 永磁 / 1.4T 电磁 两种磁场可选） |
| 3-2-2 | 磁场类型９/td> | 电磁佒/td> |
| 3-2-3 | 磁场均匀性： | 磁场不均匀性＜1 % |
| 3-3 | 测试样品９/td> | |
| 3-3-1 | 样品测试仓： | 全封闭、带玻璃窗口 |
| 3-4 | 度： | |
| 3-4-1 | 温度区域９/td> | 80K ~730K |
| 3-4-2 | 温控精度９/td> | 0.1K |
| 3-4-3 | 温控稳定性： | 0.1 K |
| 3-5 | 电阻率范围： | 10-6~1013Ohm*cm |
| 3-6 | 电阻范围９/td> | 10 m Ohms~ 10G Ohms |
| 3-7 | 载流子浓度： | 102~1022cm-3 |
| 3-8 | 迁移率： | 10-2~109cm2/volt*sec |
| 3-9 | 输入电流９/td> | |
| 3-9-1 | 电流范围９/td> | 0.1 pA~10mA |
| 3-9-2 | 电流精度９/td> | 2% |
| 3-10 | 输入电压９/td> | |
| 3-10-1 | 电压范围９/td> | 2.5V?小可测到610-6V |
| 3-10-2 | 电压分辨率： | 310-7V |
| 3-10-3 | 电压精度９/td> | 2% |
