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HTGB高温栅偏测试系统
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HTGB高温栅偏测试系统

HTGB高温栅偏测试系统是一款动态HTGB测试系统。其优点是软件控制的测试过程、大量的测试设备和调整试验参数的灵活性。该系统用高压变化来刺激被测器件的栅极在许多应用中,特别是在新技术方面。用高压变化对器件参数的影响在静态HTGB测试中是看不到的。对于像碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这样的新型宽禁带器件来说,这种动?/span>HTGB技术尤其重要、/span>

这套测试系统提供了栅阈值电压的现场(就地)测量。通过中断刺激,切换到测量电路,然后继续刺激全自动。每个DUT停止刺激和测量之间的时间是恒定的,以避免不同结果的影响。没有这些预防措施,可重复性和可比性设备会有限制、/span>

全自动测量取代了通常需要的手动测量读数节省时间和成本,同时提高观察视野。测量的阈值电压分为Vth(向上)和Vth(向下),每一个都有一个可配置预处理阶段、/span>

测试通道9/span>

工作台:10,20,40?/span>

机架(42 U): 40、80、120、160、200、240 DUT:

全自动原位Vth测量9/span>

测量时间间隔

可定制的门刺激曲线(预处理(/span>

将测量数据记录到TDMS文件?/span>

测试参数9/span>

总测试时间(0-1500h)

外加漏极电压(0V-2000V)

冷热板温度:20℃-200℃

门刺激V+ (0V-30V)、V- (-15V-0V(/span>

门频率(100Hz - 200kHz(/span>

Vth测量间隔(10秒)

V测量电压曲纾/span>

工作原理9/span>

所设置的测试系统对髗/span>du/dt的栅极进行刺激,以测试这些效应的影响、/span>

频率比应用中更快,以加速测试、/span>

采用多次原位测量,显示了趋势和漂移、/span>

应用背景

?宽频带器仵/span>(SiC/GaN)在暴露于髗/span>du/dt时显示出新的效果、/span>

?这些效果会影哌/span>DUT的关键特性,从而影响应?/span>

?常规测试(H(3)TRB/HTGB)不存在这些影哌/span>

?全球标准化组织都在致力于发布动态测试标凅/span>

?作为德国汽车半导体工作组(ECPE AQG 324)的一部分参与该过程、/span>

动态高温栅偏置功率半导体可靠性测试系统采用模块化设计,使其可扩展性从40个DUT?/span>240个DUT的单个机架。这样就可以在较小的占用空间上进行有效的测试、/span>

DUT被安排在抽屉里毎/span>40个DUT,在应用或工程环境中使用时,可根据要求提供桌面变体、/span>这个桌面是一种适合工程实验室使用的小架子。它包含一个抽屉和额外的改变,允许更多的仪器或刺激来获得更多的观察视野,非常适合SiC功率器件可靠性测试、/span>

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