?产品简介：

REAL RTP150型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一�?寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择、�/span>

?技术特色：

?真正的基片温度测量，无需传统的温度补偾�/span>

?红外卤素管灯加热

?极其优异的加热温度精确性与均匀�?/span>

?快速数字PID温度控制

?不锈钢冷壁真空腔宣�/span>

?系统稳定性好

?结构紧凑，小型桌面系绞�/span>

?带触摸屏的PC控制

?兼容常压和真空环境，真空度标准值为5��10-3Torr，采用二级分子泵真空度低�?��10-6Torr

?**3路气体（MFC控制（�/span>

?没有交叉污染，没有金属污柒�/span>

?真实基底温度测量技术介绌�/span>９�/span>

如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿、�/span>

REAL RTP150型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量、�/span>

?主要技术参�?/span>９�/span>

?基片尺寸�?英寸

?基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座（�/span>

?温度范围�?50-1250ℂ�/span>

?加热速率�?0-150�?S

?温度均匀性：�?#177;1.5% (@800℃， Silicon wafer)

�?#177;1.0% (@800℃， Substrate on SiC coated graphite susceptor)

?温度控制精度：≤ ��3ℂ�/span>

?温度重复性：� ��3ℂ�/span>

?真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

?气路供应：标�?路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制�?多可�?路）

?退火持续时间：�?5min@1250ℂ�/span>

?温度控制：快速数字PID控制

?尺寸�?70mm*650mm*620mm

?基片类型９�/span>

?Silicon wafers硅片

?Compound semiconductor wafers化合物半导体基片

?GaN/Sapphire wafers for LEDs用于LED的GaN/蓝宝石基牆�/span>

?Silicon carbide wafers碳化硅基牆�/span>

?Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基牆�/span>

?Glass substrates玻璃基片

?Metals金属

?Polymers聚合�?/span>

?Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座

?应用领域９�/span>

离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退�?RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu� SiAl� SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等、�/span>