报告题目９�/span>第三仢�/span>半导体氮化镓功率器件技术与应用

报告摘要９�/span>

作为第三代半导体材料的典型代表，氮化镒�/span>＇�/span>GaN（�/span>半导体具月�/span>带隙�?/span>�?/span>载流孏�/span>迁移玆�/span>髗�/span>、耐高�?/span>/高压、抗辐射等方面的优势＋�/span>在功玆�/span>/射频器件�?/span>光电子器件等领域得到广泛的应用。特�?/span>是在功率器件领域，其异质结构具有吸引人的高电子迁移率二维电子气（2DEG（�/span>，由正�/span>带来了革命性的应用前景。本报告将围绔�/span>氮化镓材料特炸�/span>�?/span>器件加工与测试难题、典型应用与行业背景等内容展开、�/span>

个人简历：

黄火林，现任大连理工大学光电工程与仪器科学学院教授、博导，入选大连市高层次人才计划。主要从事氮化镓材料与器件研究方向，在氮化镓技术方向，已在IEEE Electron Device Letters�?/span>IEEE Transactions on Power Electronics等领域著名期刊和重要国际会议上发表学术论文超过五十篇，已经申请或授权国际、国内发明专利近三十项（第一发明人、近五年）；近五年主持国家级、省部级纵向和横向各级项目或课题15项；担任国家基金委项目、教育部博士后基金、博士学位中心以及省级人才项目（会评）评审专家、�/span>