报告题目： 高热导基板用氮化硅陶瓷粉体的规模化燃烧合成技术及批量制备

报告摘要：

“SiC芯片+Si3N4陶瓷基板”是高端功率器件的最佳组合。高性能Si3N4陶瓷基板的制备对其所用的粉体原料提出了更高的要求，即高α含量、低杂质含量、高粉体一致性。燃烧合成技术具有近零能耗、短周期和产物自净化的突出优势，研究组自2002年成立以来，一直致力于燃烧合成高品质Si3N4陶瓷粉体材料的理论和工艺研究，先后取得了“燃烧合成装备大型化、燃烧反应过程调控智能化以及工艺产品稳定化”全方位的技术突破，实现了可控的α/β比以及高一致性粉体的批量生产。所制备的粉体经多方烧结验证，与进口粉体烧成的Si3N4陶瓷制品在热导率与抗弯强度方面基本相当，有望实现高端Si3N4陶瓷粉体的国产化替代。

个人简历：

王良，男，助理研究员，2021年于中国科学院理化技术研究所获博士学位，主要从事氮化硅陶瓷材料的制备研究，发表SCI论文6篇，撰写专利5项。

本项目是济南市政府引进的中科院理化所的项目，共建的单位叫齐鲁中科光物理与工程技术研究院