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徐现则/div>
徐现则/span> 教授
职称9/span>教授
专业类别9/span>行业专家
所在单位:山东大学晶体材料研究所
研究方向9/span>
一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料(包括As,P,Sb和氮化物)的生长及器件应用工作,制备出多种量子异质结构材料如量子阱、超晶格?DEG,多种薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等,应用到多种半导体器件如:半导体激光器、发光二极管、HBT、HEMT等、/div>

1992年获得山东大学凝聚态物理博士学位,师从于蒋民华院士?000年留美回?至今,获教育部第一批长江计划的特聘教授?000年度国家杰出青年科学基金获得者,973首席科学家,主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作

?989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料(包括As,P,Sb和氮化物)的生长及器件应用工作,制备出多种量子异质结构材料如量子阱、超晶格?DEG,多种薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等,应用到多种半导体器件如:半导体激光器、发光二极管、HBT、HEMT等。积极响应国家号召,践行产学研结合,服务地方服务山东,把科技创新的成果产业化;自2000年开始SiC单晶生长和加工工作,先后突破?英寸6H-SiC?英寸以上?H-SiC等的单晶生长技术,解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题,制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。先后承担了多项863?73、国家重大专项等课题

获得多项表彰和奖励,?995年洪堡学者,1998年获得由IEE颁发的Electronics Letters Premium?999年在美国获得由IEEE颁发的Best Paper Award?000年获得“国家杰出青年基金”,2003年“山东省科技进步一等奖”、“山东省留学回国创业奖”,2005年获“山东省十大杰出青年”,2007年获“政府特殊津贴奖”,2013年获得“山东省技术发明一等奖”等。任国务院学位委员会委员、国?63计划半导体照明工程总体专家组专家等等。至今已经发表超?50篇相关论文及会议报告

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