设备型号� JCP200

真空腔室结构� 立式上开盖结枃�/p>

真空腔室尺寸� Φ220mm×H300mm

加热温度� 室温� 500ℂ�/p>

基片台尺寸： Φ100mm

膜厚不均匀性： Φ50mm 范围内≤ ±5.0%

溅射靶： Φ2 英寸磁控� 1 � 兼容 DC/RF 溅射

工艺气体 �?-2 路气体流量控刵�/p>

控制方式 ：PLC + 触摸屏控刵�/p>

占地面积 （主机） ：L600mm×W800mm×H1700mm

总功� ：≥ 6kW