仪器简介：

产品特点简介：

欧洲Technoorg Linda公司出品的IV3及IV4离子减薄仪，�?*的TEM（透射电镜）、XTEM（剖面、横截面透射显微镜）及FIB（聚焦离子束）样品制备设备之一，适用于带有特殊制备要求的材料的高质量样品制备。该离子减薄仪的设计允许自由变换离子源参数，以及提供多种离子源组合。特定配置的减薄仪可在同一个腔室中进行快速离子减薄及*终抛光，无需移动样品。我们提供的离子减薄仪，可让用户开展新材料和样品制备新方法研究及对样品制备过程进行完全控制、�/p>

注：常规的离子减薄仪离子源能量较大，易破坏样品的微观结构，而且很难看到材料真实的自然状态下的纳米结构；因此，采用低能离子源，在有效避免样品的微观结构被损伤的基础上，大大提高了电镜图片的清晰度，进而可以更为清楚的将材料自然状态下的微观结构展现出来、�/p>

技术参数：

主要技术参数：

离子能量�?.1~10keV

离子束减薄样品角度：0~90�

样品**减薄速率�?50um/h

超大TEM样品薄区面积９�100um*100um

注：上述主要参数随仪器的配置变化而有所不同

主要特点９�/strong>

主要特点优点�

� 离子源具有多种组合方案： IV3和IV4基本配置采用两个独立水冷并分别控制的高能离子源（操作范围�? to 10 keV）。离子枪枪座的独特设计使得在真空中机动运用离子枪成为可能，并且可�?�?0度范围内设置任意减薄角度，提供了**限度的灵活性及排除离子束减薄中的低角度阴影的可能性。IV3和IV4中的双束调制系统可在样品两侧以不同的加速电压同时进行减薄�

在旋转到1/2时，离子束调制关闭束流，或者来回摆动机构来减少热敏样品的温度。离子束视场调整是由钛样品托的荧光特性来辅助实现。在IV3及IV4基本配置中的离子源是水冷的TELETWIN离子枪，用Ar离子，在2�?0 keV能量范围内工作。可选用一个聚焦高能离子枪�? to 10 keV）来替代，以达到高减薄速率＇�350 ��m/h）；或选用一个低能热阴极聚焦离子枪（100 to 2000 eV），它能确保清洁的样品表面没有无定形现象。对IV3和IV4，都可组合不同的离子源�

� 当一个离子源选用高能离子源另一个离子源选用低能热阴极聚焦离子枪时，可实现在同一设备中既有高减薄速率又有终抛光性能

� 独特的减速场操作：减速场运行方式为IV3及IV4的标准特点，这种扩展功能可消除优先溅射及低角度轰击时的离子阴影。减速场�?�?.5keV范围时，入射离子束被弯曲扫过样品表面。这种方法也消除了由于切线入射而产生的优先刻蚀�

� 可选反应离子减薄、液氮冷台及离子束斜坡切割：IV3及IV4中可选几种其它附件，以便拓展我们的离子减薄仪中制备的材料范围。化学辅助反应离子轰击大幅减少了常规溅射。在化合物半导体如GaAs中，氩离子减薄会导致形成合成产物。IV3和IV4采用碘作为化学活性离子，用于无合成产物的样品制备。IV3及IV4的标准样品托可选配液氮冷却装置，这样可减少在低角度离子轰击期间对样品的过热现象。因而，对热敏材料制备时，不会影响其内部结构。带有可选Hauffe（豪费）样品托的IV3及IV4在SEM应用时，也可进行离子束斜坡切割。在离子减薄仪中能切割厚�?mm的样品、�/p>

� 样品交换：IV4中配有气锁样品交换系统，可保证清洁的减薄环境，减少样品污染及支持快速制样的应用

� 超大薄区：IV3和IV4的独特设计可制备超大＇� 100 ��m2）的TEM可穿透薄区面�?/p>